دانشگاه آزاد اسلامی

واحد تهران جنوب

دانشکده تحصیلات تکمیلی

پایان نامه برای دریافت درجه کارشناسی ارشد

مهندسی برق – الکترونیک

عنوان:

طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز

برای رعایت حریم خصوصی اسامی استاد راهنما،استاد مشاور و نگارنده درج نمی شود

تکه هایی از متن به عنوان نمونه :

(ممکن است هنگام انتقال از فایل اصلی به داخل سایت بعضی متون به هم بریزد یا بعضی نمادها و اشکال درج نشود ولی در فایل دانلودی همه چیز مرتب و کامل است)

چکیده:

ما در این پایان نامه به بررسی تقویت کننده های کم نویز CMOS می پردازیم. در فصل یک به مطالعه مفاهیم اساسی در طراحی RF می پردازیم و مشخصاتی و تعاریفی که در ادامه کار به آن ها نیاز داریم را بررسی می کنیم. در تقویت کننده های کم نویز یکی از مهمترین مسائلی که با آن روبرو هستیم تطبیق امپدانس ورودی است. در فصل 2 روش های مختلف این تطبیق را مطالعه می کنیم. در فصل 3 پارامترهای مورد نظر برای تقویت کننده کم نویز را مورد بررسی قرار می دهیم و به بررسی تقویت کننده های کم نویز می پردازیم. لزوم وجود این بلوک در گیرنده ها را بررسی خواهیم کرد و پارامترهای مهم و تعیین کننده در تقویت کننده کم نویز مانند پایداری، تطبیق امپدانس در ورودی و خروجی را مطالعه می کنیم. در فصل 4 به بررسی ساختارهای مختلف و راه های بهبود پارامترهای تقویت کننده کم نویز که تا به حال در مقالات و کتاب های دیگر انجام شده است، می پردازیم. در نهایت در فصل 5 نیز مقالات قبول شده و ایده های جدید را بررسی خواهیم کرد. هرکدام از ایده های زیر می تواند به بهتر شدن جواب های تقویت کننده کم نویز کمک کنند و می توان روی هرکدام از آن ها در آینده کار کرد:

فیدبک ترانزیستوری، مصالحه بین پهنای باند و بهره با استفاده از سلف خروجی، مصالحه بین توان و نویز فیگر، مصالحه بین ضریب کیفیت ورودی و IIP3، استفاده از مدارات جانبی مثل حذف تصویر و بای پس سیگنال بزرگ، افزایش گستره ورودی، بهینه کردن ولتاژها برای دستیابی به نویز بهینه، استفاده از یک یا چند بافر، استفاده از ایزولاسیون های R-C-R که با ترانزیستور ساخته می شوند، مدارات کارنت رئوسا، تکنیک بایاس مستقیم بدنه، استفاده از شبکه های تطبیق ورودی و خروجی، استفاده از سلف ها و خازن های سری و موازی برای افزایش پهنای باند، استفاده از مدارهای تزویج با چند فرکانس تشدید برای تطبیق باند پهن، استفاده از سلف های تزویج و…

مقدمه

ما در این پایان نامه به بررسی تقویت کننده های کم نویز CMOS می پردازیم. اگرچه تا دو دهه پیش ماسفت ها ادوات کند و نویزی بودند ولی کاهش ابعاد آنها، قابلیت آن ها را به طور قابل ملاحظه ای افزایش داد. برخلاف ترانزیستورهای دو قطبی که عمدتا مقاومت بیس آن ها عدد نویز را زیاد می کند، در ماسفت ها فقط یک منبع مهم نویز وجود دارد و آن نویز کانال است. به همین دلیل در تکنولوژی های زیر میکرون، با ترکیب معقولی از ادوات و جریان های بایاس می توان نویز کم و قابل قبولی داشت که این مسئله در تقویت کننده های کم نویز بسیار اهمیت دارد. مزیت دیگر MOS به دوقطبی این است که در جریان های بایاس و ابعادی که به طور معمول در RF استفاده می شود، خطی تر است.

در فصل یک به مطالعه مفاهیم اساسی در طراحی RF می پردازیم و مشخصاتی و تعاریفی که در ادامه کار به آنها نیاز داریم را بررسی می کنیم. در تقویت کننده های کم نویز یکی از مهمترین مسائلی که با آن روبرو هستیم تطبیق امپدانس ورودی است. در فصل 2 روش های مختلف این تطبیق را مطالعه می کنیم. در فصل 3 پارامترهای مورد نظر برای تقویت کننده کم نویز را مورد بررسی قرار می دهیم و به بررسی تقویت کننده های کم نویز می پردازیم. لزوم وجود این بلوک در گیرنده ها را بررسی خواهیم کرد و پارامترهای مهم و تعیین کننده در تقویت کننده کم نویز مانند پایداری، تطبیق امپدانس در ورودی و خروجی را مطالعه می کنیم. در فصل 4 به بررسی ساختارهای مختلف و راه های بهبود پارامترهای تقویت کننده کم نویز که تابه حال در مقالات و کتاب های دیگر انجام شده است، می پردازیم. در نهایت در فصل 5 نیز مقالات قبول شده و ایده های جدید را بررسی خواهیم کرد.

برای دانلود متن کامل پایان نامه اینجا کلیک کنید.

لینک بالا اشتباه است

برای دانلود متن کامل اینجا کلیک کنید

       

:: بازدید از این مطلب : 592